先进封装 工艺介绍 名词解释 |
超越摩尔之路——SiP简介根据国际半导体路线组织（ITRS）的定义：SiP为将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件，以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件优先组装到一起，实现一定功能的单个标准封装件，形成一个系统或者子系统。从架构上来讲，SiP是将多种功能芯片，包括处理器、存储器等功能芯片集成在一个封装内，从而实现一个基本完整的功能。与SOC（片上系统）相对应。不同的是系统级封装是采...
集成扇出型封装（InFO）技术是什么？作为目前移动市场最受欢迎的技术，为什么目前只有两家公司能够生产，其中的难点是什么?晶圆代工大厂格芯于 2017 年 8 月 15 日宣布，采用高效能 14 纳米 FinFET 制程技术的 FX-14 特定应用积体电路（ASIC）整合设计系统，已通过 2.5D 封装技术解决方案的矽功能验证。目前，全由晶圆代工大厂中，仅台积电拥有集成扇出型封装（InFO）技...
Chiplet俗称芯粒，也叫小芯片，它是将一类满足特定功能的die（裸片），通过die-to-die内部互联技术实现多个模块芯片与底层基础芯片封装在一起，形成一个系统芯片，以实现一种新形式的IP复用。当前，主流的系统级芯片都是将多个负责不同类型计算任务的计算单元，通过光刻的形式制作到同一块晶圆上。以旗舰级智能手机的SoC芯片为例，基本都集成了CPU、GPU、DSP、ISP、NPU、Modem...
前段（FEOL）指对芯片有源部分的制造工序，即位于芯片硅衬底上的晶体管；后段（BEOL）指在晶体管上部建立若干层的导电金属线，不同层金属线之间由柱状金属相连的制造。
2022-07-27
采用TSV（Through-siliconvia，硅通孔）技术的封装，又称TSV 先进封装，目前被认为是半导体行业最先进的技术之一。TSV 可以将芯片堆叠起来使三维空间被利用起来。更重要的是，TSV 实现了贯穿整个芯片厚度的电气连接，更开辟了芯片上下表面之间的最短通路。芯片之间连接的长度变短也意味着更低的功耗和更大的带宽。3D 存储芯片封装也会在将来大量的用到TSV 封装技术。
2022-07-27
Fin Field-Effect Transistor 的缩写，鳍式场效应晶体管，是一种新的互补式金氧半导体晶体管，可以改善电路控制并减少漏电流，缩短晶体管的栅长。
2022-07-27
Complementary Metal Oxide Semiconductor（互补金属氧化物半导体）的缩写，由N-MOS 和P-MOS 器件构成的一类芯片，其多晶硅栅极结构有助于降低器件的阈值电压，从而在低电压下运行，是制造大规模集成电路芯片使用的一种器件结构
2022-07-27
泛指在集成电路生产工艺可达到的最小栅极宽度，尺寸越小，表明工艺水平越高，意味着在同样面积的晶圆上，可以制造出更多的芯片，或者同样晶体管规模的芯片会占用更小的空间，主要节点如90nm、65nm、40nm、28nm、14nm、7nm、5nm、3nm、2nm 等
2022-07-27
Integrated Circuit，指通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻器、电容器等无源原件按一定的电路互联并集成在半导体晶片上，封装在一个外壳内，执行特定功能的电路或系统。
2022-07-27
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