CMOS、CMOS 工艺Issuing time:2022-07-27 14:58 Complementary Metal Oxide Semiconductor（互补金属氧化物半导体）的缩写，由N-MOS 和P-MOS 器件构成的一类芯片，其多晶硅栅极结构有助于降低器件的阈值电压，从而在低电压下运行，是制造大规模集成电路芯片使用的一种器件结构 PrevFinFET、FinFET 工艺
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CMOS、CMOS 工艺Issuing time:2022-07-27 14:58 Complementary Metal Oxide Semiconductor（互补金属氧化物半导体）的缩写，由N-MOS 和P-MOS 器件构成的一类芯片，其多晶硅栅极结构有助于降低器件的阈值电压，从而在低电压下运行，是制造大规模集成电路芯片使用的一种器件结构 PrevFinFET、FinFET 工艺
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