产品优势
1.沉积的薄膜具有高均匀性，高孔洞/侧壁覆盖率，高附着力的性能特征。
2.采用的溅射技术制程温度低，有效降低了对基底的热损伤风险。
3.可在ABF/EMC/PID等多种基底材料上沉积各种类型的薄膜，应用广泛。
4.适应大尺寸工件的高效批量加工，提高生产效率，满足高产能需求。
5.定制化腔体设计，实现溅镀系统的个性化配置，满足特定的生产需求。
可处理芯片或晶圆
极佳的薄膜结合力
大幅降低热阻
产能 : 20min/Tray
Thermal Dissipation
高镀膜均匀性
连续式高产能
高孔洞 / 侧壁覆盖率
制程温度 <99℃
SiP EMI
材料 : PID,PR,DR
产能 : 每 150sec 产出一面
U%< 10%
High Aspect Ration Etch
Plasma Etcher
ABF/EMC/PID
高水气移除率
拉力测试 >4N
产能 : 每 120sec 产出一面
Seeding Sputter
溅镀在 Package/FO-PLP 的应用
溅镀在 SiP EMI 的应用
EMI 可以防止电磁干扰或射频干扰对敏感电子器件的冲击，这是通过使用金属屏来吸收通过空气传播的电磁干扰来实现的。SiP 将多种型号合并在一起，包括 RF 组件和天线。
SUS
Cu
EMC
| 项目 | 内容 |
| 基板材料类型 | Si晶圆、陶瓷、玻璃、ABF、EMC、PID等 |
| 靶材类型 | 金属、氧化物、硅化物等 |
| 镀膜厚度均匀性 | ±5％ |
| 真空度 | 10-7Torr |
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